PPM8P30V10 Todos los transistores

 

PPM8P30V10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPM8P30V10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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PPM8P30V10 Datasheet (PDF)

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PPM8P30V10

PPM8P30V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D5678 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G40.011 @ VGS=-10V -30 -11 0.015@ VGS=-4.5V S 21 3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ.

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History: BUZ83 | R6024KNZ1 | FDB9406-F085 | FDB9409-F085 | FTK2N60P | BUZ73L | VBZM100N03

 

 
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