PPM8P30V10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPM8P30V10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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PPM8P30V10 datasheet

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PPM8P30V10

PPM8P30V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 5 6 7 8 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 4 0.011 @ VGS=-10V -30 -11 0.015@ VGS=-4.5V S 2 1 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ.

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