Справочник MOSFET. PPM8P30V10

 

PPM8P30V10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPM8P30V10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для PPM8P30V10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM8P30V10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  prisemi
 ppm8p30v10.pdf pdf_icon

PPM8P30V10

PPM8P30V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D5678 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G40.011 @ VGS=-10V -30 -11 0.015@ VGS=-4.5V S 21 3 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ.

Другие MOSFET... PNMUT20V06 , PNMVT20V03E , PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , 10N65 , PPMDP100V10 , PPMET20V08 , PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 .

History: APM2054NU | FXN9N50F | OSG70R360DSF | BUK9E2R3-40E | OSG70R2K6PF | CHM2331QGP | FIR60N04LG

 

 
Back to Top

 


 
.