PPM8P30V10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPM8P30V10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для PPM8P30V10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPM8P30V10 даташит

 ..1. Size:107K  prisemi
 ppm8p30v10.pdf pdf_icon

PPM8P30V10

PPM8P30V10 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 5 6 7 8 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 4 0.011 @ VGS=-10V -30 -11 0.015@ VGS=-4.5V S 2 1 3 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ.

Другие IGBT... PNMUT20V06, PNMVT20V03E, PPF240M, PPM3T20V6, PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, 4N60, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3