PPMET20V08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPMET20V08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.8 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-523
Búsqueda de reemplazo de PPMET20V08 MOSFET
PPMET20V08 Datasheet (PDF)
ppmet20v08.pdf

PPMET20V08 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G10.85@ VGS=-4.5V -0.8-20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARA
ppmet20v08e.pdf

PPMET20V08E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.85@ VGS=-4.5V -0.8G1-20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHAR
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History: FCH099N60E | RU3582S | SSF18N50F | SIA436DJ | NDB710AE | DM10N65C | 5N65KL-TM3-T
History: FCH099N60E | RU3582S | SSF18N50F | SIA436DJ | NDB710AE | DM10N65C | 5N65KL-TM3-T



Liste
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