PPMET20V08 - аналоги и даташиты транзистора

 

PPMET20V08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PPMET20V08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: SOT-523
 

 Аналог (замена) для PPMET20V08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMET20V08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  prisemi
 ppmet20v08.pdf pdf_icon

PPMET20V08

PPMET20V08 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G10.85@ VGS=-4.5V -0.8-20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHARA

 0.1. Size:109K  prisemi
 ppmet20v08e.pdf pdf_icon

PPMET20V08

PPMET20V08E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.85@ VGS=-4.5V -0.8G1-20 1.2@ VGS=-2.5V -0.5S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsOFF CHAR

Другие MOSFET... PPF240M , PPM3T20V6 , PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 , RFP50N06 , PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 .

History: STFW2N105K5 | IRF7476 | IRF7101TR | IPD640N06L | PDC3960X | KQB3N30 | HAF1002S

 

 
Back to Top

 


 
.