PPMS8N20V3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPMS8N20V3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: DFN3X2-8L

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PPMS8N20V3 datasheet

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PPMS8N20V3

PPMS8N20V3 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET with Schottky Diode Description S 3 K 7 8 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 0.110 @ VGS=-4.5V -2.8 G 4 -20 0.160 @ VGS=-2.5V -2.0 0.240 @ VGS=-1.8V -1.8 Schottky Product Summary A 1 2 D 5 6 VKA(V) VF(V) IF(A) 20 0.48V @ 0.5A 1.0 Electrical characteristics per line@25 ( unless othe

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