PPMS8N20V3 - аналоги и даташиты транзистора

 

PPMS8N20V3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PPMS8N20V3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2-8L
 

 Аналог (замена) для PPMS8N20V3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMS8N20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  prisemi
 ppms8n20v3.pdf pdf_icon

PPMS8N20V3

PPMS8N20V3 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET with Schottky Diode Description S3 K78MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) 0.110 @ VGS=-4.5V -2.8G4 -20 0.160 @ VGS=-2.5V -2.00.240 @ VGS=-1.8V -1.8Schottky Product Summary A12 D56 VKA(V) VF(V) IF(A) 20 0.48V @ 0.5A 1.0 Electrical characteristics per line@25( unless othe

Другие MOSFET... PPM523T201E0 , PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 , PPMET20V08 , PPMET20V08E , 75N75 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , PPMT50V02 , PPMUT20V3 .

History: MP10N50EI | 2N65KG-TMS2-T | ME9926 | AP4409AGM-HF | AONS65625 | AP8604CDT | AONS66612T

 

 
Back to Top

 


 
.