PPMS8N20V3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMS8N20V3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2-8L

Аналог (замена) для PPMS8N20V3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMS8N20V3 даташит

 ..1. Size:99K  prisemi
 ppms8n20v3.pdf pdf_icon

PPMS8N20V3

PPMS8N20V3 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET with Schottky Diode Description S 3 K 7 8 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) 0.110 @ VGS=-4.5V -2.8 G 4 -20 0.160 @ VGS=-2.5V -2.0 0.240 @ VGS=-1.8V -1.8 Schottky Product Summary A 1 2 D 5 6 VKA(V) VF(V) IF(A) 20 0.48V @ 0.5A 1.0 Electrical characteristics per line@25 ( unless othe

Другие IGBT... PPM523T201E0, PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, 10N65, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3