PPMT12V4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPMT12V4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PPMT12V4 datasheet

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PPMT12V4

PPMT12V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 -12 0.045 @ VGS=-4.5V -4.3 S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8.0 V Continuous TA=25 ID -4.3 A D

Otros transistores... PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, 5N60, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3, PS03N20SA