PPMT12V4 Todos los transistores

 

PPMT12V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPMT12V4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PPMT12V4 Datasheet (PDF)

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PPMT12V4

PPMT12V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G1-12 0.045 @ VGS=-4.5V -4.3S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8.0 V Continuous TA=25 ID -4.3 AD

Otros transistores... PPM6N12V10 , PPM6N20V10 , PPM723T201E0 , PPM8P30V10 , PPMDP100V10 , PPMET20V08 , PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , 13N50 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , PPMT50V02 , PPMUT20V3 , PS03N20SA .

History: AP3N4R5M | PJA3433 | RU70190R | 2SK2116 | MTW45N10E | FQNL2N50BTA | AP9565AGJ

 

 
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