PPMT12V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PPMT12V4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 12 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4.3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
   Carga de la puerta (Qg): 7.8 nC
   Tiempo de subida (tr): 32 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 230 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PPMT12V4

PPMT12V4 Datasheet (PDF)

..1. Size:129K prisemi
ppmt12v4.pdf

PPMT12V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(A) G1-12 0.045 @ VGS=-4.5V -4.3S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -12 VGate-Source Voltage VGS 8.0 V Continuous TA=25 ID -4.3 AD

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: