PPMT12V4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMT12V4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PPMT12V4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMT12V4 даташит

 ..1. Size:129K  prisemi
 ppmt12v4.pdf pdf_icon

PPMT12V4

PPMT12V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 -12 0.045 @ VGS=-4.5V -4.3 S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -12 V Gate-Source Voltage VGS 8.0 V Continuous TA=25 ID -4.3 A D

Другие IGBT... PPM6N12V10, PPM6N20V10, PPM723T201E0, PPM8P30V10, PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, 5N60, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3, PS03N20SA