PPMT20V4E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPMT20V4E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PPMT20V4E datasheet

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PPMT20V4E

PPMT20V4E P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D G 1 -20 0.037 @ V =-4.5V -4 GS S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage V -20V DS Gate-Source Voltage V 10 V GS Drain Current Contin

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PPMT20V4E

PPMT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(A) G 1 0.08 @ VGS=-4.5V -20 -2.8 0.11@ VGS=-2.5V S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OFF CHARACTE

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PPMT20V4E

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