PPMT30V4 Todos los transistores

 

PPMT30V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPMT30V4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PPMT30V4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:226K  prisemi
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PPMT30V4

PPMT30V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) DG10.053 @ V =-10V GS-30 -4.2 0.065@ V =-4.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units

 7.1. Size:222K  prisemi
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PPMT30V4

PPMT30V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) DG10.058 @ V =-10V GS-30 -3 0.075@ V =-4.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsO

 9.1. Size:126K  prisemi
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PPMT30V4

PPMT32V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) G1-30 67 @ VGS=-4.5V -4.3S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -4.3 A

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