PPMT30V4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PPMT30V4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PPMT30V4

PPMT30V4 Datasheet (PDF)

..1. Size:226K prisemi
ppmt30v4.pdf

PPMT30V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) DG10.053 @ V =-10V GS-30 -4.2 0.065@ V =-4.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units

7.1. Size:222K prisemi
ppmt30v3.pdf

PPMT30V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary V (V) R () I (A) DS DS(on) DG10.058 @ V =-10V GS-30 -3 0.075@ V =-4.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. UnitsO

9.1. Size:126K prisemi
ppmt32v4.pdf

PPMT32V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m) ID(A) G1-30 67 @ VGS=-4.5V -4.3S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -4.3 A

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: