PPMT30V4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMT30V4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PPMT30V4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMT30V4 даташит

 ..1. Size:226K  prisemi
 ppmt30v4.pdf pdf_icon

PPMT30V4

PPMT30V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D G 1 0.053 @ V =-10V GS -30 -4.2 0.065@ V =-4.5V GS S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units

 7.1. Size:222K  prisemi
 ppmt30v3.pdf pdf_icon

PPMT30V4

PPMT30V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D G 1 0.058 @ V =-10V GS -30 -3 0.075@ V =-4.5V GS S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units O

 9.1. Size:126K  prisemi
 ppmt32v4.pdf pdf_icon

PPMT30V4

PPMT32V4 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)(m ) ID(A) G 1 -30 67 @ VGS=-4.5V -4.3 S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -4.3 A

Другие IGBT... PPMDP100V10, PPMET20V08, PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, 18N50, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3, PS03N20SA, PS03P20SA, PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB