PPMT50V02 Todos los transistores

 

PPMT50V02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPMT50V02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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PPMT50V02 Datasheet (PDF)

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PPMT50V02

PPMT50V02 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) G1-50 10 @ VGS=-10V -130S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -130 mA

Otros transistores... PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , CS150N03A8 , PPMUT20V3 , PS03N20SA , PS03P20SA , PS04N20SA , PS04P30SA , PS04P30SB , PS05N20DA , PS06N20DA .

History: QM3009K | QM3009S | RJK2017DPP | APT60M80L2VFRG | VBA2333 | SL2308 | BSC072N03LDG

 

 
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