PPMT50V02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPMT50V02

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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PPMT50V02 datasheet

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PPMT50V02

PPMT50V02 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) G 1 -50 10 @ VGS=-10V -130 S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -50 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -130 mA

Otros transistores... PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, IRF520, PPMUT20V3, PS03N20SA, PS03P20SA, PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA