PPMT50V02 - аналоги и даташиты транзистора

 

PPMT50V02 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PPMT50V02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для PPMT50V02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMT50V02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  prisemi
 ppmt50v02.pdf pdf_icon

PPMT50V02

PPMT50V02 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() ID(mA) G1-50 10 @ VGS=-10V -130S2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -50 VGate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -130 mA

Другие MOSFET... PPMET20V08E , PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , CS150N03A8 , PPMUT20V3 , PS03N20SA , PS03P20SA , PS04N20SA , PS04P30SA , PS04P30SB , PS05N20DA , PS06N20DA .

History: BSZ042N04NSG | HGA059N12S | SL6800C | SIR626DP | FQP13N06 | PPMT30V4

 

 
Back to Top

 


 
.