PPMT50V02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMT50V02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PPMT50V02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMT50V02 даташит

 ..1. Size:125K  prisemi
 ppmt50v02.pdf pdf_icon

PPMT50V02

PPMT50V02 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)( ) ID(mA) G 1 -50 10 @ VGS=-10V -130 S 2 Absolute maximum rating@25 Rating Symbol Value Units Drain-Source Voltage VDS -50 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID -130 mA

Другие IGBT... PPMET20V08E, PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, IRF520, PPMUT20V3, PS03N20SA, PS03P20SA, PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA