PPMUT20V3 Todos los transistores

 

PPMUT20V3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPMUT20V3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de PPMUT20V3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PPMUT20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  prisemi
 ppmut20v3.pdf pdf_icon

PPMUT20V3

PPMUT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) R () ID(A) DS(on)G10.095 @ V =-4.5V GS-20 -2.8 0.12@ V =-2.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OF

Otros transistores... PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , PPMT50V02 , IRFB31N20D , PS03N20SA , PS03P20SA , PS04N20SA , PS04P30SA , PS04P30SB , PS05N20DA , PS06N20DA , PS06N20DEA .

History: IRF6619 | TPC8301 | UF1404 | 2SK2508 | DMG6301UDW | RJK5026DPE

 

 
Back to Top

 


 
.