PPMUT20V3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PPMUT20V3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: SOT-323
Аналог (замена) для PPMUT20V3
PPMUT20V3 Datasheet (PDF)
ppmut20v3.pdf
PPMUT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) R () ID(A) DS(on)G10.095 @ V =-4.5V GS-20 -2.8 0.12@ V =-2.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OF
Другие MOSFET... PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , PPMT50V02 , IRF2807 , PS03N20SA , PS03P20SA , PS04N20SA , PS04P30SA , PS04P30SB , PS05N20DA , PS06N20DA , PS06N20DEA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
Popular searches
mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240 | bc547 transistor equivalent


