Справочник MOSFET. PPMUT20V3

 

PPMUT20V3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PPMUT20V3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для PPMUT20V3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMUT20V3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  prisemi
 ppmut20v3.pdf pdf_icon

PPMUT20V3

PPMUT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) R () ID(A) DS(on)G10.095 @ V =-4.5V GS-20 -2.8 0.12@ V =-2.5V GSS2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OF

Другие MOSFET... PPMS8N20V3 , PPMT12V4 , PPMT20V3 , PPMT20V4E , PPMT30V3 , PPMT30V4 , PPMT32V4 , PPMT50V02 , IRFB31N20D , PS03N20SA , PS03P20SA , PS04N20SA , PS04P30SA , PS04P30SB , PS05N20DA , PS06N20DA , PS06N20DEA .

History: 4N70L-TF3-T | AOSX32128

 

 
Back to Top

 


 
.