PPMUT20V3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPMUT20V3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для PPMUT20V3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PPMUT20V3 даташит

 ..1. Size:480K  prisemi
 ppmut20v3.pdf pdf_icon

PPMUT20V3

PPMUT20V3 P-Channel MOSFET Description The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D 3 MOSFET Product Summary VDS(V) R ( ) ID(A) DS(on) G 1 0.095 @ V =-4.5V GS -20 -2.8 0.12@ V =-2.5V GS S 2 Electrical characteristics per line@25 ( unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units OF

Другие IGBT... PPMS8N20V3, PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, IRF2807, PS03N20SA, PS03P20SA, PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA, PS06N20DEA