PS03N20SA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS03N20SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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PS03N20SA datasheet
ps03n20sa.pdf
PS03N20SA 20V Single Channel NMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS03N20SA 20V Single Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS03N20SA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge. This device is suitable fo
sps03n60c3.pdf
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History: AUIRF7648M2TR
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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