PS03N20SA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS03N20SA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.85 VQgⓘ - Carga de la puerta: 4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS03N20SA
PS03N20SA Datasheet (PDF)
ps03n20sa.pdf
PS03N20SA 20V Single Channel NMOSEFT Revision : 1.0Update Date : Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., LtdPS03N20SA 20V Single Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applicationsThe PS03N20SA uses advanced trench technology Load switchand design to provide excellent Rds(on) with low Power managementgate charge. This device is suitable fo
sps03n60c3.pdf
SPS03N60C3Cool MOS Power TransistorVDS @ Tjmax 650 VFeatureRDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technologyID 3.2 A Ultra low gate chargePG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductanceType Package Ordering Code MarkingSPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3Maximum RatingsPara
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918