PS03N20SA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PS03N20SA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для PS03N20SA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS03N20SA даташит

 ..1. Size:420K  prospower
 ps03n20sa.pdf pdf_icon

PS03N20SA

PS03N20SA 20V Single Channel NMOSEFT Revision 1.0 Update Date Apr. 2011 ProsPower Microelectronics Co., Ltd PS03N20SA 20V Single Channel NMOSFET 2. Applications 1. General Description PWM applications The PS03N20SA uses advanced trench technology Load switch and design to provide excellent Rds(on) with low Power management gate charge. This device is suitable fo

 9.1. Size:569K  infineon
 sps03n60c3.pdf pdf_icon

PS03N20SA

SPS03N60C3 Cool MOS Power Transistor VDS @ Tjmax 650 V Feature RDS(on) 1.4 New revolutionary high voltage technology ID 3.2 A Ultra low gate charge PG-TO251-3-11 Periodic avalanche rated Extreme dv/dt rated High peak current capability Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPS03N60C3 PG-TO251-3-11 03N60C3 Maximum Ratings Para

Другие IGBT... PPMT12V4, PPMT20V3, PPMT20V4E, PPMT30V3, PPMT30V4, PPMT32V4, PPMT50V02, PPMUT20V3, STF13NM60N, PS03P20SA, PS04N20SA, PS04P30SA, PS04P30SB, PS05N20DA, PS06N20DA, PS06N20DEA, PS06N30SA