PS60N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PS60N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 54 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PS60N60

PS60N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:188K sirectsemi
ps60n60.pdf

E L E C T R O N I C PS60N60N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 60Amp 60Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D-High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

9.1. Size:54K international rectifier
irfps60n50c.pdf

PD- 93932PROVISIONALIRFPS60N50CSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS) UninterruptIble Power Supply 500V 0.038 60A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andSuper-247

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Liste

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