PS60N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS60N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PS60N60 datasheet

 ..1. Size:188K  sirectsemi
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PS60N60

E L E C T R O N I C PS60N60 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 60Amp 60Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D -High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

 9.1. Size:54K  international rectifier
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PS60N60

PD- 93932 PROVISIONAL IRFPS60N50C SMPS MOSFET HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS) UninterruptIble Power Supply 500V 0.038 60A High Speed Power Switching Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Super-247

Otros transistores... PS05N20DA, PS06N20DA, PS06N20DEA, PS06N30SA, PS06P30DA, PS06P30SA, PS20N600A, PS4953A, IRF830, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, PSMG150-01, PSMG50-05