Справочник MOSFET. PS60N60

 

PS60N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PS60N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PS60N60

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS60N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  sirectsemi
 ps60n60.pdf pdf_icon

PS60N60

E L E C T R O N I C PS60N60N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 60Amp 60Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D-High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

 9.1. Size:54K  international rectifier
 irfps60n50c.pdf pdf_icon

PS60N60

PD- 93932PROVISIONALIRFPS60N50CSMPS MOSFETHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) typ. ID Switch Mode Power Supply (SMPS) UninterruptIble Power Supply 500V 0.038 60A High Speed Power SwitchingBenefits Low Gate Charge Qg results in SimpleDrive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance andSuper-247

Другие MOSFET... PS05N20DA , PS06N20DA , PS06N20DEA , PS06N30SA , PS06P30DA , PS06P30SA , PS20N600A , PS4953A , IRF1405 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 .

History: HCCZ120R080H1 | APTC90AM60SCTG | SWB075R08E7T | IRF7460PBF | 2SK622 | 2SK1703 | IPP50R199CP

 

 
Back to Top

 


 
.