PS90N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS90N80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de PS90N80 MOSFET
PS90N80 Datasheet (PDF)
ps90n80.pdf

E L E C T R O N I C PS90N80N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 90Amp 80Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D-High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap
Otros transistores... PS06P30SA , PS20N600A , PS4953A , PS60N60 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , IRF9640 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W .
History: RFP2N20 | DMK4N65 | IRF6810S | 2SK3899-ZK | SL50N06I | SWJ20N65K | WMM13N70EM
History: RFP2N20 | DMK4N65 | IRF6810S | 2SK3899-ZK | SL50N06I | SWJ20N65K | WMM13N70EM



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381