PS90N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PS90N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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PS90N80 datasheet

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PS90N80

E L E C T R O N I C PS90N80 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 90Amp 80Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D -High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

Otros transistores... PS06P30SA, PS20N600A, PS4953A, PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, K2611, PSMG100-05, PSMG150-01, PSMG50-05, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W