Справочник MOSFET. PS90N80

 

PS90N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PS90N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PS90N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS90N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  sirectsemi
 ps90n80.pdf pdf_icon

PS90N80

E L E C T R O N I C PS90N80N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 90Amp 80Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D-High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

Другие MOSFET... PS06P30SA , PS20N600A , PS4953A , PS60N60 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , IRF9640 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W .

History: AP9972GI | FDT1600N10ALZ | IRFR420APBF | NVATS5A107PLZ | NCE2060K | FHP150N03C | FCP600N60Z

 

 
Back to Top

 


 
.