PS90N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PS90N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 79 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PS90N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PS90N80 даташит

 ..1. Size:189K  sirectsemi
 ps90n80.pdf pdf_icon

PS90N80

E L E C T R O N I C PS90N80 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor - 90Amp 80Volt Application -Servomotor control -Power MOSFET gate drivers -Other switching applications Circuit Feature -Small surface mounting type D -High density cell design for low RDS(ON) -Suitable for high packing density -Rugged and reliable -High saturation current cap

Другие IGBT... PS06P30SA, PS20N600A, PS4953A, PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, K2611, PSMG100-05, PSMG150-01, PSMG50-05, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W