PSMG50-05 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PSMG50-05
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: ECO-PAC2
Búsqueda de reemplazo de PSMG50-05 MOSFET
PSMG50-05 Datasheet (PDF)
psmg50-05.pdf

ECO-PACTM 2HiPerFETTM Power MOSFETID25 = 43 AVDSS = 500 Vin ECO-PAC 2PSMG 50/05*RDSon = 100 m(Electrically Isolated Back Surface)trr
Otros transistores... PS60N60 , PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , STP65NF06 , PSMG60-08 , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B , PSMN005-55P .
History: IAUC120N04S6L008 | R6024ENZ1 | AP40T03GS | UPA1731G | RU40280R | ME85P03-G | SSW65R190S2R
History: IAUC120N04S6L008 | R6024ENZ1 | AP40T03GS | UPA1731G | RU40280R | ME85P03-G | SSW65R190S2R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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