PSMG50-05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSMG50-05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: ECO-PAC2

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PSMG50-05 datasheet

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PSMG50-05

ECO-PACTM 2 HiPerFETTM Power MOSFET ID25 = 43 A VDSS = 500 V in ECO-PAC 2 PSMG 50/05* RDSon = 100 m (Electrically Isolated Back Surface) trr

Otros transistores... PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, PSMG150-01, MMIS60R580P, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W, PSMN005-25D, PSMN005-55B, PSMN005-55P