PSMG50-05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PSMG50-05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 43 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: ECO-PAC2

Аналог (замена) для PSMG50-05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMG50-05 даташит

 ..1. Size:142K  powersem
 psmg50-05.pdf pdf_icon

PSMG50-05

ECO-PACTM 2 HiPerFETTM Power MOSFET ID25 = 43 A VDSS = 500 V in ECO-PAC 2 PSMG 50/05* RDSon = 100 m (Electrically Isolated Back Surface) trr

Другие IGBT... PS60N60, PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, PSMG150-01, MMIS60R580P, PSMG60-08, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W, PSMN005-25D, PSMN005-55B, PSMN005-55P