PSMG60-08 Todos los transistores

 

PSMG60-08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PSMG60-08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1840 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: ECO-PAC2
 

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PSMG60-08 Datasheet (PDF)

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PSMG60-08

ECO-PACTM 2MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 VID25 = 60 ARDS(on) = 0.12 GSPreliminary Data Sheet Dtrr 250 nsMOSFET (data related to single chip)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 VVGS continuous 20 VVGSM transient 30 VTypical picture;

Otros transistores... PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , AOD4184A , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B , PSMN005-55P , PSMN005-75P .

History: AON2406 | AP50T10GI-HF | CS6N120F | VBA2625

 

 
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