PSMG60-08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSMG60-08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1840 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: ECO-PAC2

 Búsqueda de reemplazo de PSMG60-08 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PSMG60-08 datasheet

 ..1. Size:133K  powersem
 psmg60-08.pdf pdf_icon

PSMG60-08

ECO-PACTM 2 MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 V ID25 = 60 A RDS(on) = 0.12 G S Preliminary Data Sheet D trr 250 ns MOSFET (data related to single chip) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 V VGS continuous 20 V VGSM transient 30 V Typical picture;

Otros transistores... PS75N75, PS75N75A, PS8205A, PS8205B, PS90N80, PSMG100-05, PSMG150-01, PSMG50-05, AOD4184A, PSMN003-30B, PSMN003-30P, PSMN004-36B, PSMN004-55W, PSMN005-25D, PSMN005-55B, PSMN005-55P, PSMN005-75P