PSMG60-08 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги PSMG60-08. Основные параметры


   Наименование производителя: PSMG60-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ECO-PAC2
 

 Аналог (замена) для PSMG60-08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMG60-08 даташит

 ..1. Size:133K  powersem
 psmg60-08.pdf pdf_icon

PSMG60-08

ECO-PACTM 2 MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 V ID25 = 60 A RDS(on) = 0.12 G S Preliminary Data Sheet D trr 250 ns MOSFET (data related to single chip) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 V VGS continuous 20 V VGSM transient 30 V Typical picture;

Другие MOSFET... PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , AOD4184A , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B , PSMN005-55P , PSMN005-75P .

History: FS20VS-6 | IXTY15P15T | NTD60N02R-035 | HSH6040

 

 
Back to Top

 


 
.