Справочник MOSFET. PSMG60-08

 

PSMG60-08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PSMG60-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ECO-PAC2

 Аналог (замена) для PSMG60-08

 

 

PSMG60-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  powersem
 psmg60-08.pdf

PSMG60-08 PSMG60-08

ECO-PACTM 2MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 VID25 = 60 ARDS(on) = 0.12 GSPreliminary Data Sheet Dtrr 250 nsMOSFET (data related to single chip)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 VVGS continuous 20 VVGSM transient 30 VTypical picture;

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LNH04R075

 

 
Back to Top