Справочник MOSFET. PSMG60-08

 

PSMG60-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSMG60-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ECO-PAC2
 

 Аналог (замена) для PSMG60-08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMG60-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  powersem
 psmg60-08.pdf pdf_icon

PSMG60-08

ECO-PACTM 2MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 VID25 = 60 ARDS(on) = 0.12 GSPreliminary Data Sheet Dtrr 250 nsMOSFET (data related to single chip)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 VVGS continuous 20 VVGSM transient 30 VTypical picture;

Другие MOSFET... PS75N75 , PS75N75A , PS8205A , PS8205B , PS90N80 , PSMG100-05 , PSMG150-01 , PSMG50-05 , HY1906P , PSMN003-30B , PSMN003-30P , PSMN004-36B , PSMN004-55W , PSMN005-25D , PSMN005-55B , PSMN005-55P , PSMN005-75P .

History: APM6055NU | 5N50L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.