Справочник MOSFET. PSMG60-08

 

PSMG60-08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PSMG60-08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1840 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ECO-PAC2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PSMG60-08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  powersem
 psmg60-08.pdf pdf_icon

PSMG60-08

ECO-PACTM 2MOSFET Module PSMG 60/08 VDSS = 800 VID25 = 60 ARDS(on) = 0.12 GSPreliminary Data Sheet Dtrr 250 nsMOSFET (data related to single chip)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1 M 800 VVGS continuous 20 VVGSM transient 30 VTypical picture;

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRFP441R | 2SK1685 | AO3423 | AFP3497 | NCEP055N10G | IPAN60R280PFD7S | IRFS9541

 

 
Back to Top

 


 
.