WVM12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM12N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 150 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de WVM12N10 MOSFET
WVM12N10 Datasheet (PDF)
wvm12n10.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM12N10(MTM12N10) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of powe
Otros transistores... PSMN013-30MLC , PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , WT3139K , WTC3401 , WTX1013 , WVM11N80 , IRF9540 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , WVM20N50 .
History: HYG032N03LR1C1 | MTH5N95 | IRL2203NPBF | IPG20N04S4-08 | SFB058N80C3 | 2SJ600-Z | IXTQ160N085T
History: HYG032N03LR1C1 | MTH5N95 | IRL2203NPBF | IPG20N04S4-08 | SFB058N80C3 | 2SJ600-Z | IXTQ160N085T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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