WVM12N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: WVM12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 150 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам