WVM13N50 Todos los transistores

 

WVM13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WVM13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 66 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de WVM13N50 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WVM13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm13n50.pdf pdf_icon

WVM13N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM13N50(IRF450)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

Otros transistores... PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , WT3139K , WTC3401 , WTX1013 , WVM11N80 , WVM12N10 , IRFB4115 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , WVM20N50 , WVM20N8 .

History: MTB12N03Q8 | NCEP065N85 | PSMN013-30MLC | IPI65R600C6 | WSD4098DN56 | IRF7379Q | MTB12P04J3

 

 
Back to Top

 


 
.