Справочник MOSFET. WVM13N50

 

WVM13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 66 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm13n50.pdf pdf_icon

WVM13N50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM13N50(IRF450)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

Другие MOSFET... PSMN015-60BS , PSMN016-100BS , WPH4003 , WT3139K , WTC3401 , WTX1013 , WVM11N80 , WVM12N10 , IRFB4115 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , WVM20N50 , WVM20N8 .

History: SSI3N80A | FTP50N20R | WMJ10N80D1 | TP0610K | MMFTN20 | SSG4224 | IRFS131

 

 
Back to Top

 


 
.