WVM18N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM18N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 60 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
Encapsulados: TO3
Búsqueda de reemplazo de WVM18N20 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WVM18N20 datasheet
wvm18n20.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM18N20(IRF240) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s
Otros transistores... WVM11N80, WVM12N10, WVM13N50, WVM15N20, WVM15N40, WVM15N45, WVM15N50, WVM15N60, AON7408, WVM20N50, WVM20N8, WVM21N50, WVM25N40, WVM28N10, WVM3.9N100, WVM30N10, WVM30N20
History: CS4N150VF
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955