Справочник MOSFET. WVM18N20

 

WVM18N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM18N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 60 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM18N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM18N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm18n20.pdf pdf_icon

WVM18N20

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM18N20(IRF240)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

Другие MOSFET... WVM11N80 , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , 2N7000 , WVM20N50 , WVM20N8 , WVM21N50 , WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.