WVM18N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: WVM18N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
ton ⓘ - Время включения: 60 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO3
Аналог (замена) для WVM18N20
WVM18N20 Datasheet (PDF)
wvm18n20.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM18N20(IRF240)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s
Другие MOSFET... WVM11N80 , WVM12N10 , WVM13N50 , WVM15N20 , WVM15N40 , WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , 2N7000 , WVM20N50 , WVM20N8 , WVM21N50 , WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 .
History: 2SK951 | CS8205 | BL13N25-P | GSM3454 | NCE30H10K | SSB80R160S2 | NTTFS4C10N
History: 2SK951 | CS8205 | BL13N25-P | GSM3454 | NCE30H10K | SSB80R160S2 | NTTFS4C10N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
s9018 | 2n3904 equivalent | ksa1220 | s9015 | mje3055t datasheet | a733 | irf9630 | mj2955