WVM28N10 Todos los transistores

 

WVM28N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WVM28N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.177 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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WVM28N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
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WVM28N10

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM28N10(IRF140)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

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History: TK7A45DA | DMN3110S | HM25P06D | SWK350R06VT | KNP2404A | 2SK1068 | PSMN3R3-80ES

 

 
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