WVM28N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM28N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 110 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.177 Ohm
Encapsulados: TO3
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WVM28N10 datasheet
wvm28n10.pdf
Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM28N10(IRF140) Power MOSFET(N-channel) Transistor Features 1. It s voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s
Otros transistores... WVM15N45, WVM15N50, WVM15N60, WVM18N20, WVM20N50, WVM20N8, WVM21N50, WVM25N40, IRF4905, WVM3.9N100, WVM30N10, WVM30N20, WVM30N30, WVM3N10, WVM3N30, WVM40N20, WVM4N20
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