Справочник MOSFET. WVM28N10

 

WVM28N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WVM28N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 110 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.177 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM28N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM28N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm28n10.pdf pdf_icon

WVM28N10

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM28N10(IRF140)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power s

Другие MOSFET... WVM15N45 , WVM15N50 , WVM15N60 , WVM18N20 , WVM20N50 , WVM20N8 , WVM21N50 , WVM25N40 , IRF4905 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 .

History: HRLF72N06 | NTMS4706NR2 | VS1401ATH

 

 
Back to Top

 


 
.