WVM40N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM40N20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 300 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de WVM40N20 MOSFET
WVM40N20 Datasheet (PDF)
wvm40n20.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM40N20(MTM40N20) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of powe
Otros transistores... WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , IRF9540N , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 .
History: SQM110N04-02L | WVM6N100 | KHB9D0N50F2 | SML10S75XX | IXTP86N20T | IPD65R660CFD | APT1003RKFLLG
History: SQM110N04-02L | WVM6N100 | KHB9D0N50F2 | SML10S75XX | IXTP86N20T | IPD65R660CFD | APT1003RKFLLG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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