WVM40N20 - аналоги и даташиты транзистора

 

WVM40N20 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WVM40N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 300 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM40N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM40N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm40n20.pdf pdf_icon

WVM40N20

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM40N20(MTM40N20) Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of powe

Другие MOSFET... WVM25N40 , WVM28N10 , WVM3.9N100 , WVM30N10 , WVM30N20 , WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , IRF9540N , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 .

History: RDX100N60FU6

 

 
Back to Top

 


 
.