WVM7N12 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WVM7N12
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 180 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de WVM7N12 MOSFET
WVM7N12 Datasheet (PDF)
wvm7n12.pdf

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM7N12(2SK133)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so
Otros transistores... WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , 4435 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL .
History: IRF9540PBF | DMN2020LSN | R5205CND | 65N06A | SRC60R045FB | GSM3484S | UTT200N03
History: IRF9540PBF | DMN2020LSN | R5205CND | 65N06A | SRC60R045FB | GSM3484S | UTT200N03



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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