WVM7N12 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: WVM7N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tonⓘ - Время включения: 180 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам