WVM7N12 - аналоги и даташиты транзистора

 

WVM7N12 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WVM7N12
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   ton ⓘ - Время включения: 180 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для WVM7N12

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WVM7N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 wvm7n12.pdf pdf_icon

WVM7N12

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China WVM7N12(2SK133)Power MOSFET(N-channel) TransistorFeatures: 1. Its voltage control component with good input impedance, small starting power dissipation, wide area of safe operation, good temperature stability. 2. Implementation of standards: QZJ840611 3. Use for high speed switch, circuit of power so

Другие MOSFET... WVM30N30 , WVM3N10 , WVM3N30 , WVM40N20 , WVM4N20 , WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , 4435 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , XN0NE92 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL .

History: MME60R290QRH | PDC906Z | BRF12N60 | MME65R280QRH

 

 
Back to Top

 


 
.