XN0NE92 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: XN0NE92
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: SOT-25
Búsqueda de reemplazo de XN0NE92 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
XN0NE92 datasheet
xn0ne92.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Composite Transistors XN0NE92 Silicon P-channel MOSFET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) Unit mm For DC-DC converter 0.30+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 2 Features Two elements incorporated into one package Reduction of the mounting area and assembly cost by one half 3 4 High-speed switching,
Otros transistores... WVM4N50, WVM55N10, WVM6N100, WVM7N12, WVM8N20, WVM8N60, WVM9.5N100, WW459, CS150N03A8, PSMN017-30BL, PSMN017-30EL, PSMN017-30PL, PSMN017-80BS, PSMN020-150W, PSMN020-30MLC, PSMN022-30BL, PSMN023-40YLC
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058