XN0NE92 Todos los transistores

 

XN0NE92 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: XN0NE92
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-25
 

 Búsqueda de reemplazo de XN0NE92 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

XN0NE92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  panasonic
 xn0ne92.pdf pdf_icon

XN0NE92

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Composite TransistorsXN0NE92Silicon P-channel MOSFET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)Unit: mmFor DC-DC converter0.30+0.100.050.16+0.100.062 Features Two elements incorporated into one package Reduction of the mounting area and assembly cost by one half3 4 High-speed switching,

Otros transistores... WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , CS150N03A8 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS , PSMN020-150W , PSMN020-30MLC , PSMN022-30BL , PSMN023-40YLC .

 

 
Back to Top

 


 
.