XN0NE92 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: XN0NE92
   Código: 3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   tonⓘ - Tiempo de encendido: 15 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-25

Búsqueda de reemplazo de MOSFET XN0NE92

XN0NE92 Datasheet (PDF)

..1. Size:87K panasonic
xn0ne92.pdf

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Composite TransistorsXN0NE92Silicon P-channel MOSFET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)Unit: mmFor DC-DC converter0.30+0.100.050.16+0.100.062 Features Two elements incorporated into one package Reduction of the mounting area and assembly cost by one half3 4 High-speed switching,

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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