XN0NE92 - описание и поиск аналогов

 

XN0NE92. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: XN0NE92

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

ton ⓘ - Время включения: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: SOT-25

Аналог (замена) для XN0NE92

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XN0NE92 даташит

 ..1. Size:87K  panasonic
 xn0ne92.pdf pdf_icon

XN0NE92

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). Composite Transistors XN0NE92 Silicon P-channel MOSFET (FET) Silicon epitaxial planar type (SBD) Unit mm For DC-DC converter 0.30+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 2 Features Two elements incorporated into one package Reduction of the mounting area and assembly cost by one half 3 4 High-speed switching,

Другие MOSFET... WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , CS150N03A8 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS , PSMN020-150W , PSMN020-30MLC , PSMN022-30BL , PSMN023-40YLC .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.