Справочник MOSFET. XN0NE92

 

XN0NE92 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: XN0NE92
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   ton ⓘ - Время включения: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
   Тип корпуса: SOT-25
 

 Аналог (замена) для XN0NE92

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XN0NE92 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:87K  panasonic
 xn0ne92.pdf pdf_icon

XN0NE92

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Composite TransistorsXN0NE92Silicon P-channel MOSFET (FET)Silicon epitaxial planar type (SBD)Unit: mmFor DC-DC converter0.30+0.100.050.16+0.100.062 Features Two elements incorporated into one package Reduction of the mounting area and assembly cost by one half3 4 High-speed switching,

Другие MOSFET... WVM4N50 , WVM55N10 , WVM6N100 , WVM7N12 , WVM8N20 , WVM8N60 , WVM9.5N100 , WW459 , IRLB4132 , PSMN017-30BL , PSMN017-30EL , PSMN017-30PL , PSMN017-80BS , PSMN020-150W , PSMN020-30MLC , PSMN022-30BL , PSMN023-40YLC .

History: PSMN017-30EL

 

 
Back to Top

 


 
.