PSMNR90-30BL Todos los transistores

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PSMNR90-30BL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSMNR90-30BL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 306 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 120 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Carga de compuerta (Qg): 243 nC

Tiempo de elevación (tr): 213 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2799 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.001 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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PSMNR90-30BL Datasheet (PDF)

1.1. psmnr90-30bl.pdf Size:231K _update_mosfet

PSMNR90-30BL
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PSMNR90-30BL N-channel 30 V 1.0 mΩ logic level MOSFET in D2PAK Rev. 2 — 29 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits  High efficiency

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