PSMNR90-30BL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMNR90-30BL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 306 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 243 nC
Время нарастания (tr): 213 ns
Выходная емкость (Cd): 2799 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.001 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для PSMNR90-30BL
PSMNR90-30BL Datasheet (PDF)
1.1. psmnr90-30bl.pdf 
Size:231K _update_mosfet
PSMNR90-30BL N-channel 30 V 1.0 mΩ logic level MOSFET in D2PAK Rev. 2 — 29 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High efficiency
Другие MOSFET... PSMN8R5-100ES , PSMN8R5-100PS , PSMN8R5-100XS , PSMN8R5-108ES , PSMN8R7-80BS , PSMN9R0-25MLC , PSMN9R5-100BS , PSMN9R8-30MLC , IRF250 , XP151A11B0MR-G , XP151A12A2MR-G , XP151A13A0MR-G , XP152A11E5MR-G , XP152A12C0MR-G , XP161 , XP161A11A1PR-G , XP161A1265PR-G .
