PSMNR90-30BL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: PSMNR90-30BL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 306 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 243 nC
Время нарастания (tr): 213 ns
Выходная емкость (Cd): 2799 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.001 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для PSMNR90-30BL
PSMNR90-30BL Datasheet (PDF)
1.1. psmnr90-30bl.pdf 
Size:231K _update_mosfet
PSMNR90-30BL N-channel 30 V 1.0 mΩ logic level MOSFET in D2PAK Rev. 2 — 29 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in D2PAK package qualified to 175 °C. This product is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. 1.2 Features and benefits High efficiency
Другие MOSFET... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
