2SK1029 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1029
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 2SK1029 MOSFET
2SK1029 Datasheet (PDF)
2sk1029.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1029FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.29(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Otros transistores... XP161A11A1PR-G , XP161A1265PR-G , XP161A1355PR-G , XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 7N60 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA .
History: WM02P40ME | EFC2K101NUZ | SFF50N20B | WSD2012DN25 | STP210N75F6 | WSD40120DN56 | SIR876ADP
History: WM02P40ME | EFC2K101NUZ | SFF50N20B | WSD2012DN25 | STP210N75F6 | WSD40120DN56 | SIR876ADP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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