Справочник MOSFET. 2SK1029

 

2SK1029 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK1029
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SK1029

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1029 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  no
 2sk1029.pdf pdf_icon

2SK1029

 ..2. Size:257K  inchange semiconductor
 2sk1029.pdf pdf_icon

2SK1029

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK1029FEATURESDrain Current I = 20A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.29(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

 8.1. Size:160K  fuji
 2sk1024-01.pdf pdf_icon

2SK1029

 8.2. Size:57K  fuji
 2sk1021.pdf pdf_icon

2SK1029

2SK1021

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... XP161A11A1PR-G , XP161A1265PR-G , XP161A1355PR-G , XP162A11C0PR-G , XP162A12A6PR-G , XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 7N60 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA .

History: HGA190N15SL | IRFSL4228PBF

 

 
Back to Top

 


 
.