MMN600DB012B Todos los transistores

 

MMN600DB012B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN600DB012B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 905 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0006 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MMN600DB012B Datasheet (PDF)

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MMN600DB012B

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MMN600DB012B

MMN600DB015B150V 600A N-ch Power MOSFET ModuleApril 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m@VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverterVDS ID RDS(ON)

 9.1. Size:146K  m-mos
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MMN600DB012B

MMN60NF06Data SheetM-MOS Semiconductor Sdn. Bhd.60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 60VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceHigh Power and Current handing capabilityFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentTO-220 Internal Schematic DiagramDrain Gate Source Top V

Otros transistores... XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , IRF2807 , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A .

History: NVMFS6B14NL | SUU10P10-195

 

 
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