MMN600DB012B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN600DB012B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 905 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0006 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN600DB012B

MMN600DB012B Datasheet (PDF)

..1. Size:433K macmic
mmn600db012b.pdf

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4.1. Size:312K macmic
mmn600db015b.pdf

MMN600DB015B150V 600A N-ch Power MOSFET ModuleApril 2015 Version 0 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m@VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance InsideAPPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverterVDS ID RDS(ON)

9.1. Size:146K m-mos
mmn60nf06.pdf

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Liste

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