MMN600DB012B Todos los transistores

 

MMN600DB012B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MMN600DB012B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 120 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 905 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0006 Ohm

Encapsulados: MODULE

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MMN600DB012B datasheet

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MMN600DB012B

8879 ;

 4.1. Size:312K  macmic
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MMN600DB012B

MMN600DB015B 150V 600A N-ch Power MOSFET Module April 2015 Version 0 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.8m @VGS=10V 175 junction temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside APPLICATIONS High efficiency DC/DC Converters ISG EV Products UPS inverter VDS ID RDS(ON)

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MMN600DB012B

MMN60NF06 Data Sheet M-MOS Semiconductor Sdn. Bhd. 60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 60V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@30A = 16m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance High Power and Current handing capability Fully Characterized Avalanche Voltage and Current TO-220 Internal Schematic Diagram Drain Gate Source Top V

Otros transistores... XP202A0003MR-G , XP202A0003PR-G , YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , STF13NM60N , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A .

History: JCS10N65FT | JCS10N65CT | IPI111N15N3 | HCFL65R210 | MEE7630-G | AOV11S60 | 4N65L-TF1-T

 

 

 

 

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