Справочник MOSFET. MMN600DB012B

 

MMN600DB012B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MMN600DB012B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 120 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 905 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1264 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0006 Ohm
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MMN600DB012B

 

 

MMN600DB012B Datasheet (PDF)

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , SKD502T , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .