MMN668A010U1 Todos los transistores

 

MMN668A010U1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN668A010U1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1071 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 668 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMN668A010U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  macmic
 mmn668a010u1.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN668A010U1100V 668A N-ch Power MOSFET ModuleMay 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency DC

 8.1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN6680Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramT

Otros transistores... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IRLU7843 | SVF7N60CF | IRF7309IPBF | FQD10N20LTF | WFY3N02 | APT904R2AN | IRFR9014PBF

 

 
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