MMN668A010U1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MMN668A010U1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1071 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 668 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 660 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MMN668A010U1

MMN668A010U1 Datasheet (PDF)

..1. Size:638K macmic
mmn668a010u1.pdf

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8.1. Size:201K m-mos
mmn6680.pdf

MMN6680Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramT

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Liste

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