MMN668A010U1 Todos los transistores

 

MMN668A010U1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMN668A010U1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1071 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 668 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3050 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MMN668A010U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  macmic
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MMN668A010U1

MMN668A010U1100V 668A N-ch Power MOSFET ModuleMay 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency DC

 8.1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN6680Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramT

Otros transistores... YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , IRF830 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 .

History: SIHFBC40S | H4946S | 2SK1905 | IRF4104PBF | IXFH28N60P3 | DMN3030LSS | CEF05N65

 

 
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