Справочник MOSFET. MMN668A010U1

 

MMN668A010U1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MMN668A010U1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1071 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 668 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3050 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MMN668A010U1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN668A010U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:638K  macmic
 mmn668a010u1.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN668A010U1100V 668A N-ch Power MOSFET ModuleMay 2016 Preliminary RoHS CompliantPRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m@VGS=10V 175operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance:2.2APPLICATIONS High efficiency DC

 8.1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN6680Data SheetM-MOS Semiconductor Hong Kong Limited30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFETVDS= 30VRDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18mFeaturesAdvanced trench process technologyHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceFully Characterized Avalanche Voltage and CurrentImproved Shoot-Through FOMSOP-08 Internal Schematic DiagramT

Другие MOSFET... YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , IRF830 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 .

History: NVD5C688NL | IPB80N04S4-04 | 30N20 | 2SK1340 | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.