MMN668A010U1 - описание и поиск аналогов

 

MMN668A010U1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMN668A010U1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1071 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 668 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3050 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0014 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для MMN668A010U1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MMN668A010U1 даташит

 ..1. Size:638K  macmic
 mmn668a010u1.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN668A010U1 100V 668A N-ch Power MOSFET Module May 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES RDS(ON).typ=1.1m @VGS=10V 175 operating temperature Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery body Diode 20K Gate Protected Resistance Inside Inside the module,each MOSFET chip has a gate resistance 2.2 APPLICATIONS High efficiency DC

 8.1. Size:201K  m-mos
 mmn6680.pdf pdf_icon

MMN668A010U1

MMN6680 Data Sheet M-MOS Semiconductor Hong Kong Limited 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 30V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@12A = 11m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@12A = 18m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM SOP-08 Internal Schematic Diagram T

Другие MOSFET... YTF830 , 2SK1029 , 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , 2N60 , FTP03N06NA , ITP09N50A , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 .

History: G1NP02ELL | AP3N2R8H | SID9971 | SES760 | HY1001P | BUK457-400A | NCE60R360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.