ITP09N50A Todos los transistores

 

ITP09N50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ITP09N50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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ITP09N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  inpower semi
 itp09n50a.pdf pdf_icon

ITP09N50A

ITP09N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger500 V 0.55 9.0 A SMPS Standby PowerFeatures: RoHS CompliantD Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGDSOrdering InformationPART NUMBER PACKAGE BRAND TO-220 SNot to ScaleITP09N50A TO-220 ITP0

Otros transistores... 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , AO3401 , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 .

History: HSS2301C | IPP50R399CP

 

 
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