ITP09N50A Todos los transistores

 

ITP09N50A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ITP09N50A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO220

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ITP09N50A datasheet

 ..1. Size:343K  inpower semi
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ITP09N50A

ITP09N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger 500 V 0.55 9.0 A SMPS Standby Power Features RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G D S Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND TO-220 S Not to Scale ITP09N50A TO-220 ITP0

Otros transistores... 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , P60NF06 , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 .

History: SUD50N03-12P | IRF7313PBF-1 | MMN400A006U1 | 2SK3111

 

 

 

 

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