ITP09N50A - аналоги и даташиты транзистора

 

ITP09N50A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ITP09N50A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ITP09N50A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ITP09N50A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  inpower semi
 itp09n50a.pdf pdf_icon

ITP09N50A

ITP09N50AN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger500 V 0.55 9.0 A SMPS Standby PowerFeatures: RoHS CompliantD Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveGGDSOrdering InformationPART NUMBER PACKAGE BRAND TO-220 SNot to ScaleITP09N50A TO-220 ITP0

Другие MOSFET... 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , P60NF06 , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 .

History: GP28S50XN3P | GP28S50GN247 | TK31J60W

 

 
Back to Top

 


 
.