ITP09N50A - описание и поиск аналогов

 

ITP09N50A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ITP09N50A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ITP09N50A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ITP09N50A даташит

 ..1. Size:343K  inpower semi
 itp09n50a.pdf pdf_icon

ITP09N50A

ITP09N50A N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Typ.) ID Adaptor Charger 500 V 0.55 9.0 A SMPS Standby Power Features RoHS Compliant D Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G D S Ordering Information PART NUMBER PACKAGE BRAND TO-220 S Not to Scale ITP09N50A TO-220 ITP0

Другие MOSFET... 2SK1197 , 2SK1297 , MMN400A006U1 , MMN400A010U1 , MMN600DB012B , MMN600DB015B , MMN668A010U1 , FTP03N06NA , P60NF06 , HX2301 , HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 .

History: XP161A1265PR-G | RU3030M3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.