HX3415 Todos los transistores

 

HX3415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HX3415

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HX3415 datasheet

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HX3415

HX3415 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The HX3415 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V =-20V I =-4A DS D R (Typ.)=42m @V =-2.5V DS(ON) GS R (Typ.)=38.3m @V

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HX3415

HX3415A P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The HX3415 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V =-20V I =-4A DS D R (Typ.)=42m @V =-2.5V DS(ON) GS R (Typ.)=38.3m @

Otros transistores... HX2301A , HX2302 , HX2302A , HX2305 , HX3400 , HX3400A , HX3401 , HX3401A , IRLB3034 , HX3415A , HD2302 , HD2305 , HD2307 , HD2310 , HD2312 , SVD3205F , SVD3205S .

History: 4N70KG-TMS-T | BSC150N03LD | 4N70KL-TMS2-T | SIS407DN | STW30NM50N

 

 

 

 

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